Dacă în 2023 vom vedea la treabă procesoare de 3 nanometri, iar Samsung pare să fi furat deja faţa celor de la TSMC, având asemenea cipseturi în producţie, ei bine tot Samsung priveşte şi mai departe în viitor. Compania sud-coreeană a organizat evenimentul Samsung Foundry Forum 2022, în care a vorbit despre cipseturi de 2 nm şi 1.4 nm.
Samsung Electronics a prezentat la eveniment planul său de afaceri pentru segmentul Foundry, cu accent pe zone că HPC, AI, conectivitate 5G şi chiar 6G, plus aplicaţii auto. Toate au nevoie de cipuri avansate, iar breaking news-ul conferinţei e că Samsung vrea să producă în masă cipuri de 1.4 nanometri în 2027. Tehnologia GAA (Gate All Around) va continua să avanseze, ca succesor pentru FinFET şi astfel va duce la apariţia de procesoare pe tehnologie de 2 nanometri în 2025.
Samsung lucrează la o tehnologie de packaging eterogen 2.5D/3D pentru a crea o soluţie de producţie de cipuri adaptată cerinţelor viitoare. Samsung a înfiinţat recent un nou centru de R&D pentru cipseturi în Coreea de Sud. Compania ţinteşte spre IoT şi zona auto, dar şi HPC cu cipuri cu consum redus şi performanţă ridicată. E vorba despre unele de 3 nm şi 4 nm, în vreme ce zonă auto primeşte şi soluţii de 28 nm eNVM acum şi de 14 nm eNVM în 2024, plus 8 nm ulterior.
Strategia Samsung implica o abordare numită Shell First: viitoarele extinderi se vor face pornind de la liniile de producţie, care vor putea fi realoca pe alte proiecte şi alte arhitecturi în mod mai rapid. Samsung lucrează şi la "noduri avansate", ceea ce înseamnă că nu va produce doar CPU-uri mai eficiente energetic, dar va avea şi posibilitatea de a produce mai multe decât până acum.
Are în dezvoltare şi o întreprindere cu rol de pilot în Texas, cu un proiect în valoare de 17 miliarde de dolari. La acelaşi eveniment s-a vorbit despre procesul de chip packaging X-Cube, inaugurat în 2020 şi care permite un stacking mai slim pentru cipuri. Primul hardware 3D packaging X-Cube cu interconectare micro-bump va sosi în 2024 şi apoi o altă generaţie în 2026.
