Samsung Galaxy S8 va sosi cu 8 GB RAM şi stocare UFS 2.1, plus chipset de 10 nm

Autor:  | Publicat în:  Samsung 3.608 ori
<b>Samsung Galaxy S8 va sosi cu 8 GB RAM şi stocare UFS 2.1, plus chipset de 10 nm</b>Iată că leak-urile referitoare la Samsung Galaxy S8 continuă și acum, moment în care o nouă sursă prezice faptul că flagship-ul sud-coreenilor urmează a sosi la pachet cu 8 GB memorie RAM și cu stocare de tip UFS 2.1. De asemenea, pe lista de posibile

Continuă să apară zvonurile legate despre Samsung Galaxy S8, pe măsură ce ne apropiem de finalul anului. Cea mai nouă teorie afirma că viitorul flagship va avea la bord 8 GB RAM şi nu 6 GB, aşa cum afirmau scăpările precedente.

Samsung Galaxy S8

O postare pe Weibo include acest detaliu şi mai menţionează şi prezenţa stocării flash de tip UFS2.1 la bord. De remarcat că sursa de pe Weibo ar fi una de încredere, când vine vorba de scăpări Samsung. Ea mai afirmă şi că sud coreenii vor folosi propriul chipset de 10 nm la interior, ceea ce era de aşteptat de altfel, probabil un Exynos nou si puternic.

Chiar dacă vom vedea şi o variantă cu procesor Snapdragon 835 la bord, tot Samsung va fi de fapt forţa creativă din spatele său, Qualcomm colaborând cu Sammy pentru a realiza acest CPU. La ultima verificare, Galaxy S8 nu era gata pentru debut la MWC 2017, ci era mai degrabă asociat unui eveniment din luna aprilie, organizat la New York.

Aflasem şi că va sosi în 2 variante: una cu ecran de 5 inch şi altă cunoscută drept Galaxy S8 Plus, cu diagonală de 6 inch și poate și cu stylus. Evident panourile vor fi AMOLED şi sunt şanse mari ca ambele să aibă muchii curbate. Cât despre lipsa de la MWC, Samsung ar dori ca publicul să nu fie distras de toate lansările din Barcelona, de aceea prefera un eveniment separat.

Cel.ro a anunțat lichidări de stoc între 25 și 27 iulie. Promite reduceri de până la 70%! (link de afiliat)
Acest site folosește cookies. Prin navigarea pe acest site, vă exprimați acordul asupra folosirii cookie-urilor. Citește mai mult×