Samsung lansează memoria flash NAND verticală 3D, cu densitate și viteza crescută

Autor:  | Publicat în:  Samsung 961 ori
<b>Samsung lansează memoria flash NAND verticală 3D, cu densitate și viteza crescută</b>Samsung a lansat astăzi un nou tip de memorie flash NAND, cu o densitate și viteză mai mare decât generațiile precedente. E vorba despre o tehnologie de stocare flash 3D, care își va găsi locul pe smartphone-urile și tabletele viitorului. &nbsp;...

Samsung a lansat astăzi un nou tip de memorie flash NAND, cu o densitate și viteză mai mare decât generațiile precedente. E vorba despre o tehnologie de stocare flash 3D, care își va găsi locul pe smartphone-urile și tabletele viitorului.

Aceasta este prima arhitectură 3D verticală din industrie și o inițiativă similară a fost cea Intel, cu arhitectură 3D tri gate în cazul lui Ivy Bridge. Noul design depășește neajunsurile tehnologice care apar atunci când se lucrează cu procese de 10 nm, precum interferențele. Noua generație, V-NAND aduce o creștere de viteză de 2 până la 10 ori față de memoria flash standard.

Cu noul proces compania asiatică poate amplasa vertical straturi de 24 de celule, folosind o nouă tehnologie de inscripționare, care conectează straturile electronice și asta realizând orificii de la cel mai înalt strat la cel de jos. Astfel crește și densitatea memoriei și se pare că producția de masă a început deja.

Acest site folosește cookies. Prin navigarea pe acest site, vă exprimați acordul asupra folosirii cookie-urilor. Citește mai mult×