Samsung începe producţia în masă de DRAM de 10 nm, generaţie a doua

640 ori
<b>Samsung începe producţia în masă de DRAM de 10 nm, generaţie a doua</b>Suntem informați astăzi că cei de la Samsung au dat startul producției în masă de DRAM realizat pe 10nm, chip-uri ce fac parte din a 2-a generație. E vorba despre o unitate de 8 Gb DRAM DDR4 de clasa 10 nm, generaţie secundă

Samsung a început producţia în masă a unei noi serii DRAM, bazată pe procesul de 10 nm, generaţia a doua. O tehnologie similară de 10 nm a fost deja pusă la treabă şi pentru chipset-urile sale Exynos şi ar fi implicată şi în realizarea lui Snapdragon 845.

Segmentul "Semiconductor" de la Samsung, unul care aduce constant profit pentru sud coreeni include SSD-uri, procesoare pentru terminale mobile, DRAM, senzori de imagine. Să vedem totuşi evoluţia la nivel de DRAM. Aflaţi că în februarie 2016 debuta primul DRAM de clasa 10 nm, iar acum soseşte în linia de producţie succesorul său. E vorba despre o unitate de 8 Gb DRAM DDR4 de clasa 10 nm, generaţie secundă.

Acest model ar oferi o performanţă crescută, consum mai redus şi dimensiuni mai scăzute faţă de predecesor. Chipset-urile de gen urmează să fie folosite pe numeroase terminale. Samsung promite un salt cu până la 15% în eficiență a consumului, cu 10% la performanţă şi 30% la nivel de productivitate. Comparaţiile se fac cu o memorie de 8 Gb DDR4 RAM de 10 nm din prima generaţie.

Următoarea generaţie de chip-uri DRAM se află de asemenea în pregătire, pentru servere enterprise, terminale mobile, supercomputere şi plăci grafice high end.

Acest site folosește cookies. Prin navigarea pe acest site, vă exprimați acordul asupra folosirii cookie-urilor. Citește mai mult×