Samsung prezintă un cip de 1 TB memorie pentru smartphone-uri; Posibil să vină pe varianta high-end de Galaxy S10

1.021 ori
<b>Samsung prezintă un cip de 1 TB memorie pentru smartphone-uri; Posibil să vină pe varianta high-end de Galaxy S10</b>De multă vreme auzim că Samsung ar urma să lanseze și o variantă ultra high-end pentru flagship-ul Galaxy S10, model menționat fie drept Galaxy S10 X, fie Galaxy S10 Beyond X. Printre dotările sale deosebite se numărau

De multă vreme auzim că Samsung ar urma să lanseze și o variantă ultra high-end pentru flagship-ul Galaxy S10, model menționat fie drept Galaxy S10 X, fie Galaxy S10 Beyond X. Printre dotările sale deosebite se numărau și cei 12 GB RAM, dar și cipul de 1 TB de stocare - dotare din urmă care astăzi pare a fi confirmată într-un fel sau altul. Samsung tocmai ce a prezentat oficial un asemenea modul de memorie de tip eUFS.

Sud-coreenii dezvăluie că noul cip eUFS de 1 TB este la fel de compact precum varianta anterioară de 512 GB, măsurând astfel 11.5 x 13 mm. Combină 16 straturi de memorie flash V-NAND și un nou controller, iar pe lângă dublarea capacității păstrându-se același format, Samsung aduce și îmbunătățiri la nivel de performanță.

Astfel vitezele secvențiale de citire ajung până la 1000 MB/s, iar viteza secvențială de citire la 260 MB/s - cifre ce scot la iveală o creștere a vitezelor cu 38% față de cipul precedent de 512 GB. O comparație interesată este făcută cu un SSD SATA 2.5-inch care ajunge la o viteză maximă de citire de 540 MB/s.

Posibil ca soluția de 1 TB să apară pe modelul high-end de S10, deși nimic nu este bătut în cuie. 

⚡ Poți obține un voucher de 10 euro când cumperi un telefon OnePlus, bani ce pot fi cheltuiți pe accesorii dacă inițiezi comanda folosind acest link.
Acest site folosește cookies. Prin navigarea pe acest site, vă exprimați acordul asupra folosirii cookie-urilor. Citește mai mult×