De multă vreme auzim că Samsung ar urma să lanseze și o variantă ultra high-end pentru flagship-ul Galaxy S10, model menționat fie drept Galaxy S10 X, fie Galaxy S10 Beyond X. Printre dotările sale deosebite se numărau și cei 12 GB RAM, dar și cipul de 1 TB de stocare - dotare din urmă care astăzi pare a fi confirmată într-un fel sau altul. Samsung tocmai ce a prezentat oficial un asemenea modul de memorie de tip eUFS.
Sud-coreenii dezvăluie că noul cip eUFS de 1 TB este la fel de compact precum varianta anterioară de 512 GB, măsurând astfel 11.5 x 13 mm. Combină 16 straturi de memorie flash V-NAND și un nou controller, iar pe lângă dublarea capacității păstrându-se același format, Samsung aduce și îmbunătățiri la nivel de performanță.
Astfel vitezele secvențiale de citire ajung până la 1000 MB/s, iar viteza secvențială de citire la 260 MB/s - cifre ce scot la iveală o creștere a vitezelor cu 38% față de cipul precedent de 512 GB. O comparație interesată este făcută cu un SSD SATA 2.5-inch care ajunge la o viteză maximă de citire de 540 MB/s.
Posibil ca soluția de 1 TB să apară pe modelul high-end de S10, deși nimic nu este bătut în cuie.
